據(jù)韓媒報(bào)道，韓國芯片巨頭SK海力士準(zhǔn)備打破美國對(duì)華極紫外（EUV）光刻機(jī)出口相關(guān)限制，對(duì)其中國半導(dǎo)體工廠進(jìn)行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇以及中國高性能半導(dǎo)體制造能力提升，一些韓國芯片企業(yè)準(zhǔn)備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。

韓國《首爾經(jīng)濟(jì)》13日的報(bào)道援引韓國業(yè)內(nèi)人士的話稱，SK海力士計(jì)劃今年將其中國無錫工廠的部分動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）生產(chǎn)設(shè)備提升至第四代10納米工藝。對(duì)于“無錫工廠將技術(shù)升級(jí)”的消息，SK海力士方面表示“無法確認(rèn)工廠的具體運(yùn)營計(jì)劃”。無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，產(chǎn)量約占其DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。報(bào)道認(rèn)為，SK海力士對(duì)無錫工廠進(jìn)行技術(shù)升級(jí)并不容易，因?yàn)槊绹鵀樽柚怪袊雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起，從2019年開始單方面限制制造尖端半導(dǎo)體必需的EUV光刻機(jī)出口中國。

報(bào)道稱，隨著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)進(jìn)入復(fù)蘇，SK海力士認(rèn)為高性能芯片產(chǎn)能擴(kuò)張已經(jīng)刻不容緩，需要10納米級(jí)第四代DRAM或更高版本產(chǎn)品來維持其市場(chǎng)份額。SK海力士總裁郭魯正出席CES展會(huì)時(shí)表示：“我們自去年以來就地緣政治問題組建了內(nèi)部工作組，相信企業(yè)風(fēng)險(xiǎn)由此得到很大程度的緩解。”

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)水平迅速提升引發(fā)韓媒高度關(guān)注。韓聯(lián)社12日稱，投資銀行巴克萊的分析師在一份報(bào)告中稱，中國半導(dǎo)體制造商比外界所認(rèn)為的要“多得多”。瑞銀集團(tuán)近期的一份報(bào)告稱，雖然美國正用各種方式阻止中國半導(dǎo)體崛起，但中國克服這些限制的能力不容小覷。中國企業(yè)正在加強(qiáng)對(duì)主要半導(dǎo)體制造設(shè)備的采購以增加供應(yīng)。去年包括荷蘭阿斯麥集團(tuán)在內(nèi)的國際半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商來自中國的訂單激增。

（來源：環(huán)球時(shí)報(bào)）